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低功耗 256千位串口F-RAM存儲器（Ramtron）

時(shí)間：2009-03-02 12:36:18

關(guān)鍵字：低功耗 F-RAM RAMTRON 串口

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[導(dǎo)讀]Ramtron宣布推出256千位 (Kb)、2.7至3.6V工作電壓、具高速串口 I2C內(nèi)存接口的非易失性F-RAM器件，型號為 FM24L256。它采用小型8腳封裝，不但提供高性能數(shù)據(jù)采集功能，而且還能減低成本和縮小板空間，適用于從多功能打

Ramtron宣布推出256千位 (Kb)、2.7至3.6V工作電壓、具高速串口 I2C內(nèi)存接口的非易失性F-RAM器件，型號為 FM24L256。它采用小型8腳封裝，不但提供高性能數(shù)據(jù)采集功能，而且還能減低成本和縮小板空間，適用于從多功能打印機(jī)到工業(yè)電機(jī)控制器等各種設(shè)備應(yīng)用。

F-RAM存儲器的優(yōu)勢

FM24L256是容量為256千位的非易失性存儲器，采用Ramtron先進(jìn)的鐵電存儲 (ferroelectric) 工藝。F-RAM存儲器的讀寫操作與RAM相似，并提供長達(dá)10年的可靠數(shù)據(jù)保存，而同時(shí)免除了源自EEPROM和其它非易失性存儲器的復(fù)雜性、系統(tǒng)開銷和系統(tǒng)可靠性的問題。

F-RAM 的功能和特點(diǎn)

FM24L256以總線速度執(zhí)行寫操作，無寫入延遲，無需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個(gè)總線周期。相比EEPROM，F(xiàn)M24L256的寫入耐用性高出幾個(gè)數(shù)量級，而且由于執(zhí)行寫操作時(shí)不需要為寫入電路提供內(nèi)部升高的電源電壓，因此功耗也較EEPROM低得多。

FM24L256適用于需要頻繁或快速數(shù)據(jù)寫入的非易失性存儲器應(yīng)用，應(yīng)用范圍從非常關(guān)注寫入次數(shù)的數(shù)據(jù)采集應(yīng)用，到嚴(yán)苛的工業(yè)控制應(yīng)用 (EEPROM因?yàn)閷懭霑r(shí)間長而存在數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)) 都適合。FM24L256的這些功能可以實(shí)現(xiàn)更頻繁的數(shù)據(jù)寫入，而系統(tǒng)開銷卻較少。FM24L256為并口 EEPROM用戶帶來極大的好處，讓他們以硬件直接插入 (drop-in) 的方式取代原有的EEPROM。此外，它采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8腳SOIC封裝，工作電壓為2.7至3.6V，并可在
-40°C至+85°C的整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。

價(jià)格和供貨

Ramtron 現(xiàn)提供采用8腳 “綠色” /RoHS SOIC (無鉛) 封裝的 FM24L256樣品，小批量訂購的單價(jià)為4.56美元。

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